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FDS2672

概述

MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:UltraFET™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):200V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:3.9A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 3.9A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):46nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2535pF @ 100V,功率 - 最大值:1W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）,供应商器件封装:8-SOIC N

引脚图与功能

暂无FDS2672的引脚图与功能信息

工作原理

暂无FDS2672的工作原理信息

替代产品

暂无FDS2672的替代产品信息

PDF资料

暂无FDS2672的PDF资料信息

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