FDN338P技术参数_FDN338P资料_FDN338P引脚图_FDN338P功能-1kic网

欢迎光临！1kic网专注于为电子元器件行业提供免费及更实惠的芯片ic交易网站。

| 会员中心 | 会员服务

IC库存

热门关键词： LM358 TL431 ULN2003 OP07 STM32F103C8T6

当前位置：1kic首页>IC技术参数>FDN338P的技术资料

FDN338P

概述

MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:1.6A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:115 毫欧 @ 1.6A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.2nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):451pF @ 10V,功率 - 最大值:460mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:3-SSOT

引脚图与功能

暂无FDN338P的引脚图与功能信息

工作原理

暂无FDN338P的工作原理信息

替代产品

暂无FDN338P的替代产品信息

PDF资料

暂无FDN338P的PDF资料信息

FDN338P推荐供应商更多

IC技术参数

更多

关于1kic网| 帮助中心| 广告服务| 粤ICP备14005348号

1kic网-首个免费IC网-电子元器件ic交易网-芯片集成电路代理商供应商查询