FDG311N技术参数_FDG311N资料_FDG311N引脚图

FDG311N

概述

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:1.9A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:115 毫欧 @ 1.9A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.5nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):270pF @ 10V,功率 - 最大值:480mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363,供应商器件封装:SC-70-6