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FDD8586

概述

MOSFET N-CH 20V 35A DPAK

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:35A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:5.5 毫欧 @ 35A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):48nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2480pF @ 10V,功率 - 最大值:77W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63,供应商器件封装:D-Pak