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FDD8426H的技术资料
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FDD8426H
概述
MOSFET N/P-CH DUAL 40V TO-252-4
厂商
Fairchild Semiconductor
参数
包装:带卷 (TR),系列:PowerTrench®,FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):40V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A,10A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):12 毫欧 @ 12A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):53nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2735pF @ 20V,功率 - 最大值:1.3W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD,供应商器件封装:D-Pak 5-引线
引脚图与功能
暂无FDD8426H的引脚图与功能信息
工作原理
暂无FDD8426H的工作原理信息
替代产品
暂无FDD8426H的替代产品信息
PDF资料
暂无FDD8426H的PDF资料信息
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