FDD6030L技术参数_FDD6030L资料_FDD6030L引脚图_FDD6030L功能-1kic网

欢迎光临！1kic网专注于为电子元器件行业提供免费及更实惠的芯片ic交易网站。

| 会员中心 | 会员服务

IC库存

热门关键词： LM358 TL431 ULN2003 OP07 STM32F103C8T6

当前位置：1kic首页>IC技术参数>FDD6030L的技术资料

FDD6030L

概述

MOSFET N-CH 30V 12A DPAK

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:12A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:14.5 毫欧 @ 12A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):28nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1230pF @ 15V,功率 - 最大值:1.5W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63,供应商器件封装:TO-252

引脚图与功能

暂无FDD6030L的引脚图与功能信息

工作原理

暂无FDD6030L的工作原理信息

替代产品

暂无FDD6030L的替代产品信息

PDF资料

暂无FDD6030L的PDF资料信息

FDD6030L推荐供应商更多

IC技术参数

更多

关于1kic网| 帮助中心| 广告服务| 粤ICP备14005348号

1kic网-首个免费IC网-电子元器件ic交易网-芯片集成电路代理商供应商查询