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FDB2710的技术资料
搜索资料
FDB2710
概述
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
厂商
Fairchild Semiconductor
参数
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):250V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):50A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):42.5 毫欧 @ 25A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):101nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7280pF @ 25V,功率 - 最大值:260W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB,供应商器件封装:D²PAK
引脚图与功能
暂无FDB2710的引脚图与功能信息
工作原理
暂无FDB2710的工作原理信息
替代产品
暂无FDB2710的替代产品信息
PDF资料
暂无FDB2710的PDF资料信息
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