包装:管件,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):200V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:70A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:-,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:-,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-,功率 - 最大值:-,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3,供应商器件封装:TO-3P

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