EMZ8T2R技术参数_EMZ8T2R资料_EMZ8T2R引脚图

EMZ8T2R

概述

TRANS PNP DUAL BIP+BIP EMT6

厂商

Rohm Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,晶体管类型:NPN，PNP,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:150mA，500mA,电压 - 集射极击穿（最大值）:50V，12V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 5mA，50mA / 250mV @ 10mA，200mA,电流 - 集电极截止（最大值）:-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:120 @ 1mA，6V / 270 @ 10mA，2V,功率 - 最大值:150mW,频率 - 跃迁:180MHz，260MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-563，SOT-666,供应商器件封装:EMT6

引脚图与功能

暂无EMZ8T2R的引脚图与功能信息

工作原理

暂无EMZ8T2R的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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