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EMG8T2R的技术资料
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EMG8T2R
概述
TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT5
厂商
Rohm Semiconductor
参数
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,电阻器 - 基底 (R1) (Ω):4.7k,电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):47k,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA,电流 - 集电极截止(最大值):500nA,频率 - 跃迁:250MHz,功率 - 最大值:150mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-SMD(5引线),扁引线,供应商器件封装:EMT5
引脚图与功能
暂无EMG8T2R的引脚图与功能信息
工作原理
暂无EMG8T2R的工作原理信息
替代产品
暂无EMG8T2R的替代产品信息
PDF资料
暂无EMG8T2R的PDF资料信息
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