包装:管件,系列:-,格式 - 存储器:RAM,存储器类型:NVSRAM（非易失 SRAM）,存储容量:2M (128K x 16),速度:70ns,接口:并联,电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V,工作温度:0°C ~ 70°C,封装/外壳:40-DIP 模块（0.610"，15.495mm）,供应商器件封装:40-EDIP

暂无DS1258Y-70的引脚图与功能信息

暂无DS1258Y-70的工作原理信息

暂无DS1258Y-70的替代产品信息

暂无DS1258Y-70的PDF资料信息