包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,晶体管类型:2 NPN（双）配对,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:200mA,电压 - 集射极击穿（最大值）:160V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 5mA，50mA,电流 - 集电极截止（最大值）:-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:80 @ 10mA，5V,功率 - 最大值:300mW,频率 - 跃迁:300MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-23-6,供应商器件封装:SOT-26

暂无DMMT5551-7的引脚图与功能信息

暂无DMMT5551-7的工作原理信息

暂无DMMT5551-7的替代产品信息

暂无DMMT5551-7的PDF资料信息