系列:IGBTMOD™,IGBT 类型:沟道,配置:三相反相器,电压 - 集射极击穿（最大值）:250V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.7V @ 10V，200A,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:200A,电流 - 集电极截止（最大值）:1mA,不同 Vce 时的输入电容 (Cies):66nF @ 10V,功率 - 最大值:600W,输入:标准,NTC 热敏电阻:无,安装类型:底座安装,封装/外壳:模块,供应商器件封装:模块

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