包装:管件可替代的包装,系列:GaN,晶体管类型:HEMT,频率:1.8GHz ~ 2.2GHz,增益:18dB,电压 - 测试:50V,额定电流:12A,噪声系数:-,电流 - 测试:1A,功率 - 输出:200W,电压 - 额定:125V,封装/外壳:440162,供应商器件封装:440162

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