包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):200V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:250mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:6.4 欧姆 @ 250mA，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):60pF @ 25V,功率 - 最大值:350mW,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线,供应商器件封装:TO-92-3

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