BD809G技术参数_BD809G资料_BD809G引脚图

BD809G

概述

TRANS NPN 80V 10A BIPO TO-220AB

厂商

ON Semiconductor

参数

包装:管件,系列:-,晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10A,电压 - 集射极击穿（最大值）:80V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:1.1V @ 300mA，3A,电流 - 集电极截止（最大值）:-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:15 @ 4A，2V,功率 - 最大值:90W,频率 - 跃迁:1.5MHz,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3,供应商器件封装:TO-220AB