AOT7N65技术参数_AOT7N65资料_AOT7N65引脚图

AOT7N65

概述

MOSFET N-CH 650V 7A TO220

厂商

Alpha & Omega Semiconductor Inc

参数

包装:管件,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):650V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:7A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:1.56 欧姆 @ 3.5A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):23nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1060pF @ 25V,功率 - 最大值:192W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3,供应商器件封装:TO-220