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AOP605

概述

MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP

厂商

参数

包装:管件,系列:-,FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.5A,6.6A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):28 毫欧 @ 7.5A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16.6nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):820pF @ 15V,功率 - 最大值:2.5W,安装类型:通孔,封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm),供应商器件封装:8-PDIP

引脚图与功能

暂无AOP605的引脚图与功能信息

工作原理

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替代产品

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PDF资料

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