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AO4449的技术资料
搜索资料
AO4449
概述
MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC
厂商
Alpha & Omega Semiconductor Inc
参数
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):34 毫欧 @ 7A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):910pF @ 15V,功率 - 最大值:3.1W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽),供应商器件封装:8-SOIC
引脚图与功能
暂无AO4449的引脚图与功能信息
工作原理
暂无AO4449的工作原理信息
替代产品
暂无AO4449的替代产品信息
PDF资料
暂无AO4449的PDF资料信息
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