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2SJ412

概述

MOSFET P-CH 100V 16A TO-220FL

厂商

Toshiba

参数

包装:管件,系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:16A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:210 毫欧 @ 6A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):48nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 10V,功率 - 最大值:60W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3（SMT）标片,供应商器件封装:TO-220FL