包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):40V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:4.6A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 3.8A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26.1nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1007pF @ 20V,功率 - 最大值:2W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA,供应商器件封装:SOT-223

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