ZXMN6A11DN8TC技术参数_ZXMN6A11DN8TC资料_ZXMN6A11DN8TC引脚图

ZXMN6A11DN8TC

概述

MOSFET N-CHAN 60V 8SOIC

厂商

Diodes Inc

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:2 个 N 沟道（双）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:2.5A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 2.5A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5.7nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):330pF @ 40V,功率 - 最大值:1.25W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）,供应商器件封装:8-SOP