ZXMHN6A07T8TA技术参数_ZXMHN6A07T8TA资料_ZXMHN6A07T8TA引脚图

ZXMHN6A07T8TA

概述

MOSFET N-CHAN 60V 1.6A SOT223-8

厂商

Diodes Inc

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:4 个 N 通道（H 桥）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:1.4A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:300 毫欧 @ 1.8A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.2nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):166pF @ 40V,功率 - 最大值:1.1W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-223-8,供应商器件封装:SM8

引脚图与功能

暂无ZXMHN6A07T8TA的引脚图与功能信息

工作原理

暂无ZXMHN6A07T8TA的工作原理信息

替代产品

暂无ZXMHN6A07T8TA的替代产品信息

PDF资料

暂无ZXMHN6A07T8TA的PDF资料信息

ZXMHN6A07T8TA推荐供应商更多

深圳市美睿电子有限公司