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ZX3CD3S1M832TA的技术资料
搜索资料
ZX3CD3S1M832TA
概述
TX PNP & SCHOTTKY DIODE 8-MLP
厂商
Diodes Inc
参数
包装:带卷 (TR),系列:-,晶体管类型:PNP + 二极管(隔离式),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3A,电压 - 集射极击穿(最大值):40V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):370mV @ 250mA,2.5A,电流 - 集电极截止(最大值):25nA,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):60 @ 1.5A,2V,功率 - 最大值:3W,频率 - 跃迁:190MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-MLP,供应商器件封装:8-MLP/DFN(3x2)
引脚图与功能
暂无ZX3CD3S1M832TA的引脚图与功能信息
工作原理
暂无ZX3CD3S1M832TA的工作原理信息
替代产品
暂无ZX3CD3S1M832TA的替代产品信息
PDF资料
暂无ZX3CD3S1M832TA的PDF资料信息
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