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WPB4002

概述

MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB

厂商

ON Semiconductor

参数

包装:托盘,系列:-,FET 类型:2 个 N 沟道（双）,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):600V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:23A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:360 毫欧 @ 11.5A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):84nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2200pF @ 30V,功率 - 最大值:2.5W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3,供应商器件封装:TO-3PB

引脚图与功能

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工作原理

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替代产品

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IC技术参数

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