VSLY5850技术参数_VSLY5850资料_VSLY5850引脚图

VSLY5850

IR EMITTER 850NM HIGH SPEED DIP

Vishay Semiconductor Opto Division

包装:散装,系列:-,电流 - DC 正向 (If):100mA,不同 If 时的辐射强度 (Ie)（最小值）:300mW/sr @ 100mA,波长:850nm,电压 - 正向 (Vf)（典型值）:1.65V,视角:6°,方向:顶视图,安装类型:通孔,封装/外壳:T 1 3/4

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