VN10LFTC技术参数_VN10LFTC资料_VN10LFTC引脚图

VN10LFTC

概述

MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3

厂商

Diodes Inc

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:150mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):60pF @ 25V,功率 - 最大值:330mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:SOT-23-3

引脚图与功能

暂无VN10LFTC的引脚图与功能信息

工作原理

暂无VN10LFTC的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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IC技术参数

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