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US6T9TR的技术资料
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US6T9TR
概述
TRANS PNP DUAL 30V 1A TUMT6
厂商
Rohm Semiconductor
参数
包装:带卷 (TR),系列:-,晶体管类型:2 PNP(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1A,电压 - 集射极击穿(最大值):30V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):350mV @ 25mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V,功率 - 最大值:400mW,频率 - 跃迁:320MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363,供应商器件封装:UMT6
引脚图与功能
暂无US6T9TR的引脚图与功能信息
工作原理
暂无US6T9TR的工作原理信息
替代产品
暂无US6T9TR的替代产品信息
PDF资料
暂无US6T9TR的PDF资料信息
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