US6T5TR技术参数_US6T5TR资料_US6T5TR引脚图

US6T5TR

概述

TRANS PNP 30V 2A BIPO TUMT6

厂商

Rohm Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2A,电压 - 集射极击穿（最大值）:30V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:370mV @ 75mA，1.5A,电流 - 集电极截止（最大值）:-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:270 @ 200mA，2V,功率 - 最大值:400mW,频率 - 跃迁:280MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363,供应商器件封装:UMT6

引脚图与功能

暂无US6T5TR的引脚图与功能信息

工作原理

暂无US6T5TR的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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IC技术参数

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