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US6M1TR

概述

MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6

厂商

Rohm Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V，20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:1.4A，1A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:240 毫欧 @ 1.4A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):70pF @ 10V,功率 - 最大值:1W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-SMD，扁平引线,供应商器件封装:TUMT6