包装:剪切带 (CT),系列:-,FET 类型:2 个 N 沟道（双）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):50V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:100mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:20 欧姆 @ 10mA，4V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:-,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6pF @ 3V,功率 - 最大值:200mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363,供应商器件封装:6-SuperMiniMold

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