UMB3NTN技术参数_UMB3NTN资料_UMB3NTN引脚图

UMB3NTN

概述

TRANS DUAL PNP 50V 100MA SOT-363

厂商

Rohm Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双）,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA,电压 - 集射极击穿（最大值）:50V,电阻器 - 基底 (R1) (Ω):4.7k,电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 1mA，5V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，5mA,电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）,频率 - 跃迁:250MHz,功率 - 最大值:150mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363,供应商器件封装:UMT6

引脚图与功能

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工作原理

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替代产品

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PDF资料

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