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RFD3055

概述

MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:管件,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:12A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 12A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):23nC @ 20V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):300pF @ 25V,功率 - 最大值:53W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA,供应商器件封装:I-Pak

引脚图与功能

暂无RFD3055的引脚图与功能信息

工作原理

暂无RFD3055的工作原理信息

替代产品

暂无RFD3055的替代产品信息

PDF资料

暂无RFD3055的PDF资料信息

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