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RB851YT2R的技术资料
搜索资料
RB851YT2R
概述
DIODE SCHOTTKY 3V 30MA EMD4
厂商
Rohm Semiconductor
参数
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):460mV @ 1mA,不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:700nA @ 1V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):30mA(DC),电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):3V,反向恢复时间 (trr):-,二极管类型:肖特基,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度,二极管配置:2 个独立式,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SC-75-4,EMD4,供应商器件封装:EMD4
引脚图与功能
暂无RB851YT2R的引脚图与功能信息
工作原理
暂无RB851YT2R的工作原理信息
替代产品
暂无RB851YT2R的替代产品信息
PDF资料
暂无RB851YT2R的PDF资料信息
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