QSX8TR技术参数_QSX8TR资料_QSX8TR引脚图

QSX8TR

概述

TRANS GP NPN 30V 1A SMT6

厂商

Rohm Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,晶体管类型:2 NPN（双）,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1A,电压 - 集射极击穿（最大值）:30V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA,电流 - 集电极截止（最大值）:-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:270 @ 100mA，2V,功率 - 最大值:1.25W,频率 - 跃迁:320MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6,供应商器件封装:TSMT6

引脚图与功能

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工作原理

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替代产品

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PDF资料

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IC技术参数

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