QSH29TR技术参数_QSH29TR资料_QSH29TR引脚图

QSH29TR

概述

TRANS NPN DUAL DIGITAL TSMT6

厂商

Rohm Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:500mA,电压 - 集射极击穿（最大值）:70V,电阻器 - 基底 (R1) (Ω):10k,电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:500 @ 200mA，5V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，100mA,电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）,频率 - 跃迁:-,功率 - 最大值:1.25W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6,供应商器件封装:TSMT6

引脚图与功能

暂无QSH29TR的引脚图与功能信息

工作原理

暂无QSH29TR的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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IC技术参数

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