QS8M11TCR技术参数_QS8M11TCR资料_QS8M11TCR引脚图

QS8M11TCR

概述

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8

厂商

Rohm Semiconductor

参数

包装:-,系列:-,FET 类型:-,FET 功能:-,漏源极电压 (Vdss):-,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:-,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:-,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:-,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-,功率 - 最大值:-,安装类型:-,封装/外壳:-,供应商器件封装:-

引脚图与功能

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工作原理

暂无QS8M11TCR的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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