QS8K2TR技术参数_QS8K2TR资料_QS8K2TR引脚图

QS8K2TR

概述

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8

厂商

Rohm Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:2 个 N 沟道（双）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:3.5A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:54 毫欧 @ 3.5A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.6nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):285pF @ 10V,功率 - 最大值:1.25W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SMD，扁平引线,供应商器件封装:TSMT8

引脚图与功能

暂无QS8K2TR的引脚图与功能信息

工作原理

暂无QS8K2TR的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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IC技术参数

Q6006VH4
Q6008DH4
Q6006RH3
Q6006RH4
Q6006VH3
Q6006NH4
Q6006LTH
Q6006LH4
Q6006F51
Q6006F52