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QS5U23TR的技术资料
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QS5U23TR
概述
MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
厂商
Rohm Semiconductor
参数
包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物,FET 功能:二极管(隔离式),漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.5A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):200 毫欧 @ 1.5A,4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.2nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):325pF @ 10V,功率 - 最大值:900mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-23-5 细型,TSOT-23-5,供应商器件封装:TSMT5
引脚图与功能
暂无QS5U23TR的引脚图与功能信息
工作原理
暂无QS5U23TR的工作原理信息
替代产品
暂无QS5U23TR的替代产品信息
PDF资料
暂无QS5U23TR的PDF资料信息
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