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QS5U17TR

概述

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5

厂商

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:二极管(隔离式),漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):100 毫欧 @ 2A,4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.9nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):175pF @ 10V,功率 - 最大值:900mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-23-5 细型,TSOT-23-5,供应商器件封装:TSMT5

引脚图与功能

暂无QS5U17TR的引脚图与功能信息

工作原理

暂无QS5U17TR的工作原理信息

替代产品

暂无QS5U17TR的替代产品信息

PDF资料

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