QS5U17TR技术参数_QS5U17TR资料_QS5U17TR引脚图

QS5U17TR

概述

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5

厂商

Rohm Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:二极管（隔离式）,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:2A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 2A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.9nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):175pF @ 10V,功率 - 最大值:900mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-23-5 细型，TSOT-23-5,供应商器件封装:TSMT5