QEE113E3R0技术参数_QEE113E3R0资料_QEE113E3R0引脚图

QEE113E3R0

LED IR GAAS SIDELOOK 940NM

Fairchild Semiconductor

包装:带卷 (TR),系列:-,电流 - DC 正向 (If):50mA,不同 If 时的辐射强度 (Ie)（最小值）:3mW/sr @ 100mA,波长:940nm,电压 - 正向 (Vf)（典型值）:1.5V,视角:50°,方向:侧视图,安装类型:通孔,封装/外壳:径向

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