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NTJD4105CT4的技术资料
搜索资料
NTJD4105CT4
概述
MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363
厂商
ON Semiconductor
参数
包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,8V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):630mA,775mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):375 毫欧 @ 630mA,4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):46pF @ 20V,功率 - 最大值:270mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363,供应商器件封装:SOT-363
引脚图与功能
暂无NTJD4105CT4的引脚图与功能信息
工作原理
暂无NTJD4105CT4的工作原理信息
替代产品
暂无NTJD4105CT4的替代产品信息
PDF资料
暂无NTJD4105CT4的PDF资料信息
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暂无NTJD4105CT4的供应商
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