包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:760mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:360 毫欧 @ 350mA，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:450mV @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.1nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):156pF @ 5V,功率 - 最大值:313mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SC-89，SOT-490,供应商器件封装:SC-89-3

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