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NSS35200CF8T1G

概述

TRANSISTOR PNP 2A 35V 8CHIPFET

厂商

ON Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:2A,电压 - 集射极击穿（最大值）:35V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 20mA，2A,电流 - 集电极截止（最大值）:100nA,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 1.5A，2V,功率 - 最大值:635mW,频率 - 跃迁:100MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SMD，扁平引线,供应商器件封装:ChipFET™

引脚图与功能

暂无NSS35200CF8T1G的引脚图与功能信息

工作原理

暂无NSS35200CF8T1G的工作原理信息

替代产品

暂无NSS35200CF8T1G的替代产品信息

PDF资料

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