包装:*,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):52V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:9A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:95 毫欧 @ 12A，12V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 100µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):250pF @ 40V,功率 - 最大值:1.74W,安装类型:*,封装/外壳:*,供应商器件封装:*

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