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NGD8205NT4的技术资料
搜索资料
NGD8205NT4
概述
IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V DPAK
厂商
ON Semiconductor
参数
包装:带卷 (TR),系列:-,IGBT 类型:-,电压 - 集射极击穿(最大值):390V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.9V @ 4.5V,20A,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A,Current - Collector Pulsed (Icm):50A,功率 - 最大值:125W,Switching Energy:-,输入类型:逻辑,Gate Charge:-,Td (on/off) A 25°C:-/5µs,Test Condition:300V,9A,1 千欧,5V,反向恢复时间 (trr):-,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63,安装类型:表面贴装,供应商器件封装:DPAK-3
引脚图与功能
暂无NGD8205NT4的引脚图与功能信息
工作原理
暂无NGD8205NT4的工作原理信息
替代产品
暂无NGD8205NT4的替代产品信息
PDF资料
暂无NGD8205NT4的PDF资料信息
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