NGB8206N技术参数_NGB8206N资料_NGB8206N引脚图

NGB8206N

概述

IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V D2PAK

厂商

ON Semiconductor

参数

包装:管件,系列:-,IGBT 类型:-,电压 - 集射极击穿（最大值）:390V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.9V @ 4.5V，20A,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20A,Current - Collector Pulsed (Icm):50A,功率 - 最大值:150W,Switching Energy:-,输入类型:逻辑,Gate Charge:-,Td (on/off) A 25°C:-/5µs,Test Condition:300V，9A，1 千欧，5V,反向恢复时间 (trr):-,封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB,安装类型:表面贴装,供应商器件封装:D2PAK