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NE651R479A-T1-A的技术资料
搜索资料
NE651R479A-T1-A
概述
HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A
厂商
CEL
参数
包装:带卷 (TR),系列:-,晶体管类型:HFET,频率:1.9GHz,增益:12dB,电压 - 测试:3.5V,额定电流:1A,噪声系数:-,电流 - 测试:50mA,功率 - 输出:27dBm,电压 - 额定:8V,封装/外壳:4-SMD,扁平引线,供应商器件封装:79A
引脚图与功能
暂无NE651R479A-T1-A的引脚图与功能信息
工作原理
暂无NE651R479A-T1-A的工作原理信息
替代产品
暂无NE651R479A-T1-A的替代产品信息
PDF资料
暂无NE651R479A-T1-A的PDF资料信息
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