NE3516S02-T1C-A技术参数_NE3516S02-T1C-A资料_NE3516S02-T1C-A引脚图

NE3516S02-T1C-A

概述

IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX

厂商

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,晶体管类型:N 沟道 GaAs HJ-FET,频率:12GHz,增益:14dB,电压 - 测试:2V,额定电流:60mA,噪声系数:0.35dB,电流 - 测试:6mA,功率 - 输出:33dBm,电压 - 额定:4V,封装/外壳:4-SMD，扁平引线,供应商器件封装:S02

引脚图与功能

暂无NE3516S02-T1C-A的引脚图与功能信息

工作原理

暂无NE3516S02-T1C-A的工作原理信息

替代产品

暂无NE3516S02-T1C-A的替代产品信息

PDF资料

暂无NE3516S02-T1C-A的PDF资料信息

NE3516S02-T1C-A推荐供应商更多

暂无NE3516S02-T1C-A的供应商

IC技术参数

NWR-CT
NL1-SP
NON-60
NU503B
NM7167
NE544N
NTE116
NT2955
NX3300
N-JP-1