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NDS9959

概述

MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:2 个 N 沟道（双）,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):50V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:2A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:300 毫欧 @ 1.5A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):250pF @ 25V,功率 - 最大值:900mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）,供应商器件封装:8-SOIC N

引脚图与功能

暂无NDS9959的引脚图与功能信息

工作原理

暂无NDS9959的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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